大家好(hǎo)，来(lái)看一(yī)则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gō春有约,花不误,年年岁岁不相负，年年岁岁花相似的全诗句ng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产(chǎn)品春有约,花不误,年年岁岁不相负，年年岁岁花相似的全诗句ong>

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。